Ga2O3薄膜相关论文
采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜.利用X射线衍射仪和紫外-可见-红外分光光度计分别对Ga2O3薄膜的晶体结构......
基于宽禁带半导体材料氧化镓(Ga2O3)制备日盲深紫外(UV)光电探测器是当前研究的热点课题之一,但如何制备出高性能的Ga2O3基日盲探......
Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，拥有超大的带隙(～4.9 eV)、较大的击穿场强(～8 MV/cm)及较高的巴利加优值，在日盲光电探测、场效应......
近年来,日盲探测器因其背景噪声低及灵敏度高等优势,在光电子技术领域发挥了其不可替代的作用。Ga2O3作为一种新型宽禁带氧化物半......
目前大数据时代已经来临,人们对移动电子器件便捷、高速、可携带的需求日益增长,因此非易失性存储器已被越来越多的学者所关注。传......
Ga_2O_3作为第三代宽禁带半导体,其具有较好的化学稳定性和热稳定性,在日盲紫外探测器、透明导电薄膜等方面表现出良好的发展前景......
Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体材料。除了优异光电特性外,Ga2O3材料还具有良好的热稳定性和化学稳定性。其中,单斜晶系的?-Ga2O3......
透明导电氧化物薄膜因为其在发光二极管、激光器、平面显示和薄膜太阳能电池等领域的具有广泛应用前景，得到了科研人员的重点研究。......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用射频磁控溅射工艺在室温扩镓硅衬底上沉积Ga2O3膜,然后在氨气气氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米带,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)......
采用射频磁控溅射技术和后期退火在蓝宝石衬底上成功制备了β-Ga2O3薄膜。借助于X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、X射线光电......
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,再氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行了研究.用傅里叶红外谱仪(FTIR)、X......
实验以三氯化镓为原料,柠檬酸为络合剂,通过NH3·H2O调节pH值,得到透明稳定的前躯体溶胶,红外光谱分析表明上述溶胶在向凝胶转变过......
用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)......
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜，氮化反应组装GaN晶体膜，并对其生长条件进行研究．用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)......
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中850 ℃常压下通氨气进行氨化,......
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及......
A simple and easily operated technique was developed to fabricate GaN films. GaN films possessing hexagonal wurtzite str......
采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓Si基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。用红外透射谱（mR）、X射线衍射（XRD）、......
利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成......
通过氨化射频溅射工艺生长Ga2O3薄膜，在石英衬底上成功地合成了六方GaN纳米棒，用X射线衍射（XRD），扫描电镜（SEM）、高分辨率透射电镜（HRTEM）和......
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响.测试结果表明:采用......
采用磁控溅射法在Si（111）和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga2O3薄膜，使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分......
Ga2O3属于直接带隙半导体材料,拥有较大的带隙宽度,带隙值大约为5.0eV。Ga2O3薄膜具有透明导电性,属于半导体材料,可广泛应用于在......
近几年来,由于透明氧化物半导体材料在发光二极管、激光器、紫外探测器、透明薄膜晶体管、薄膜太阳能电池及平面显示等方面具有广......
随着当今透明光电子器件的不断发展,要求透明导电薄膜的透明区域向紫外波段扩展,而且目前光电子学研究的一个重要领域是寻找短波长......
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用XRD对样品进行了结构分析,测试......
目前,Ga203材料已经成为短波长光电功能材料领域中人们广泛关注的一个焦点。Ga203作为第三代新型宽禁带半导体材料(禁带宽度：4.9eV)......
β-Ga2O3是一种直接、宽带隙半导体材料,带隙宽度在4.2-4.9eV之间。β-Ga2O3具有很好的光学和电学特性,在近紫外、可见光和近红外......
氧化镓是一种新型宽带隙的半导体材料,以单斜晶系的p相最为稳定。氧化镓的禁带宽度在4.2eV-4.9eV之间[2],具有优良的化学稳定性和......
随着科技的发展,透明导电氧化物薄膜由于在发光二极管、激光器、平面显示和薄膜太阳能电池等领域的广泛应用而受到越来越多的关注......
